當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視,那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,則是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管芯片)。
首先我們先來了解一下。它是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,它擁有的特性是:高輸入阻抗,可采用通用低成本的驅(qū)動(dòng)線路;高速開關(guān)特性;導(dǎo)通狀態(tài)低損耗。IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn):驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,是一種適合于中、大功率應(yīng)用的電力電子器件。IGBT在綜合性能方面占有明顯優(yōu)勢(shì),非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
所以不難看出,IGBT對(duì)新能源汽車的價(jià)值所在就是在直流充電樁和電機(jī)系統(tǒng)的作用之大,它決定了電機(jī)的工作效率以及直流充電樁的傳輸效率。IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,是除電池之外成本第二高的元件,也決定了整車的能源效率。
IGBT的應(yīng)用范圍很廣,不僅電機(jī)驅(qū)動(dòng)要用IGBT,新能源的發(fā)電機(jī)和空調(diào)部分一般也需要IGBT。所以一些主機(jī)廠把這一塊的開發(fā)牢牢控制在了自己的手上,比如豐田的混合動(dòng)力汽車便是如此。而豐田也成為了世界唯一能自主生產(chǎn)IGBT的廠家。
不僅是新能源車,直流充電樁和機(jī)車(高鐵)的核心也是IGBT管,直流充電樁30%的原材料成本就是IGBT。電力機(jī)車一般需要 500 個(gè) IGBT 模塊,動(dòng)車組需要超過 100 個(gè) IGBT 模塊,一節(jié)地鐵需要 50-80 個(gè) IGBT 模塊。
三菱電機(jī)的HVIGBT已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)默認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn),中國(guó)的高速機(jī)車用IGBT由三菱完全壟斷,同時(shí)歐洲的阿爾斯通、西門子、龐巴迪也是一半以上采用三菱電機(jī)的IGBT。
除了日系廠家,英飛凌包攬了幾乎所有電動(dòng)車的IGBT,而三菱電機(jī)則沉醉于中國(guó)高鐵的豐厚利潤(rùn)中無法自拔,在低于2500V市場(chǎng)幾乎一無所獲。
2016年全球電動(dòng)車銷量大約200萬輛,共消耗了大約9億美元的IGBT管,平均每輛車大約450美元,是電動(dòng)車?yán)锍姵赝庾畎嘿F的部件。
其中,混合動(dòng)力和PHEV大約77萬輛,每輛車需要大約300美元的IGBT,純電動(dòng)車大約123萬輛,平均每輛車使用540美元的IGBT,大功率的純電公交車用的IGBT可能超過1000美元。
和MOS相比,IGBT管在低于400伏的低壓領(lǐng)域完全無優(yōu)勢(shì),無論開關(guān)頻率還是成本,MOS優(yōu)勢(shì)都非常明顯。400伏領(lǐng)域,安森美剛剛收購(gòu)的仙童半導(dǎo)體居于領(lǐng)導(dǎo)地位。
汽車主要是600V到1200V之間,英飛凌具有壓倒性優(yōu)勢(shì),安森美雖然在600V-1200V領(lǐng)域也有市場(chǎng),但主要是非車載領(lǐng)域。三菱和富士電機(jī),則分享了日本市場(chǎng)。而豐田混動(dòng)所用的IGBT全部?jī)?nèi)部完成,不假手外人。
在電動(dòng)車上,可以把電機(jī)看成壓縮機(jī)。兩者原理幾乎完全一致。主要是通過脈沖寬度調(diào)制(PWM)的方式控制IGBT開關(guān),將電流從DC轉(zhuǎn)換到AC(電池到電機(jī),驅(qū)動(dòng)電機(jī))或者從AC轉(zhuǎn)化到DC(電機(jī)到電池,剎車、下坡時(shí)能量回收)對(duì)于混合動(dòng)力,除驅(qū)動(dòng)電機(jī)外,另外還有一個(gè)發(fā)電機(jī),可以由汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)帶動(dòng)其發(fā)電,然后通過IGBT模塊AC/DC轉(zhuǎn)換后向電池充電。在DM車型中,該發(fā)電機(jī)還可以充當(dāng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的作用。
IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。模塊的3個(gè)基本特征:多個(gè)芯片以絕緣方式組裝到金屬基板上;空心塑殼封裝,與空氣的隔絕材料是高壓硅脂或者硅脂,以及其他可能的軟性絕緣材料;同一個(gè)制造商、同一技術(shù)系列的產(chǎn)品,IGBT模塊的技術(shù)特性與同等規(guī)格的IGBT 單管基本相同。
模塊的主要優(yōu)勢(shì)有以下幾個(gè):多個(gè)IGBT芯片并聯(lián),IGBT的電流規(guī)格更大。多個(gè)IGBT芯片按照特定的電路形式組合,如半橋、全橋等,可以減少外部電路連接的復(fù)雜性。多個(gè)IGBT芯片處于同一個(gè)金屬基板上,等于是在獨(dú)立的散熱器與IGBT芯片之間增加了一塊均熱板,工作更可靠。一個(gè)模塊內(nèi)的多個(gè)IGBT芯片經(jīng)過了模塊制造商的篩選,其參數(shù)一致性比市售分立元件要好。模塊中多個(gè)IGBT芯片之間的連接與多個(gè)分立形式的單管進(jìn)行外部連接相比,電路布局更好,引線電感更小。模塊的外部引線端子更適合高壓和大電流連接。同一制造商的同系列產(chǎn)品,模塊的最高電壓等級(jí)一般會(huì)比IGBT 單管高1-2個(gè)等級(jí),如果單管產(chǎn)品的最高電壓規(guī)格為1700V,則模塊有2500V、3300V 乃至更高電壓規(guī)格的產(chǎn)品
晶圓上的一個(gè)最小全功能單元稱為Cell,晶圓分割后的最小單元,構(gòu)成IGBT 單管或者模塊的一個(gè)單元的芯片單元,合稱為IGBT的管芯。
一個(gè)IGBT管芯稱為模塊的一個(gè)單元,也稱為模塊單元、模塊的管芯。模塊單元與IGBT管芯的區(qū)別在最終產(chǎn)品,模塊單元沒有獨(dú)立的封裝,而管芯都有獨(dú)立的封裝,成為一個(gè)IGBT管。
最近還出了一種叫IPM的模塊,把門級(jí)驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路也封裝進(jìn)IGBT模塊內(nèi)部,結(jié)構(gòu)雖然很簡(jiǎn)單但是工作頻率不能太高。所以應(yīng)用的較少,姑且不談。
雖然單管的成本要遠(yuǎn)低于模塊,但是單管的可靠性遠(yuǎn)不及模塊。在電動(dòng)車領(lǐng)域,模塊已經(jīng)被大規(guī)模應(yīng)用,但有一些例外就是咱們中國(guó)特色主義的老年代步車還有特斯拉還是堅(jiān)持用單管。不由得感慨特斯拉對(duì)成本的重視程度遠(yuǎn)高于對(duì)人命的重視程度。
特斯拉Model X使用132個(gè)IGBT管,由英飛凌提供,其中后電機(jī)為96個(gè),前電機(jī)為36個(gè),每個(gè)單管的成本大約4-5美元,合計(jì)大約650美元。
如果改用模塊的話,估計(jì)需要12-16個(gè)模塊,成本大約1200-1600美元。特斯拉使用單管的原因主要是成本,尤其是其功率比一般的電動(dòng)車要大不少,加上設(shè)計(jì)開發(fā)周期短,不得不采用單管設(shè)計(jì)。
相比寶馬I3,采用英飛凌新型HybridPACK 2模塊設(shè)計(jì),每個(gè)模塊內(nèi)含6個(gè)單管型IGBT,750V/660A,電流超大,只需要兩個(gè)模塊即可,體積大大縮小,成本大約300美元。采用英飛凌的新型HybridPACK 2模塊設(shè)計(jì),每個(gè)模塊內(nèi)含6個(gè)單管型IGBT,750V/660A,電流超大,只需要兩個(gè)模塊即可,體積大大縮小
而IGBT工藝的關(guān)鍵在于散熱和背板工藝。IGBT的正面工藝和標(biāo)準(zhǔn)BCD的LDMOS沒區(qū)別,區(qū)別在背面,背面工藝有幾點(diǎn),首先是減薄,大約需要減薄6-8毫米,減得太多容易碎片,減得太少?zèng)]有效果。接下來是離子注入,注入一層薄磷做緩沖層,第四代需要兩次注入磷,本來硅片就很薄了,兩次注入很容易碎片。然后是清洗,接下來金屬化,在背面蒸鍍一層鈦或銀,最后是Alloy,因?yàn)楣杵?,很容易翹曲或碎片。英飛凌特別擅長(zhǎng)這種技術(shù),所以做出來的體積是同行難以逾越的目標(biāo)。
最后扯一下散熱,首先需要提高 IGBT模塊內(nèi)部的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和耐受功率循環(huán)的能力, IGBT模塊內(nèi)部引線技術(shù)經(jīng)歷了粗鋁線鍵合、 鋁帶鍵合再到銅線鍵合的過程,提高了載流密度。第二點(diǎn),新的焊接工藝,傳統(tǒng)焊料為錫鉛合金, 成本低廉、工藝簡(jiǎn)單, 但存在環(huán)境污染問題, 且車用功率模塊的芯片溫度已經(jīng)接近錫鉛焊料熔點(diǎn)(220℃)。所以一個(gè)小小的器件對(duì)新能源汽車的發(fā)展做出了不可磨滅的貢獻(xiàn),對(duì)我國(guó)的汽車制造業(yè)而言,還有很多路要走。